Фантастика? Ничуть

Фантастика? Ничуть

На пороге XXI века: Интервью с ленинградскими академиками

Жорес Иванович Алферов — один из ведущих ученых-физиков нашего города, академик.

С 1953 года работает в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе Академии наук СССР, где в настоящее время руководит отделом. Ж. И. Алферов является заместителем председателя секции физико-технических и математических наук Президиума Академии наук СССР. Награжден орденами «Знак Почета» (1959), Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1980), лауреат Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984), премии Европейского физического общества (1978), обладатель золотой медали имени С. Баллантайна (1971). Пожизненный член Института Б. Франклина (США).

Основные научные интересы Ж. И. Алферова связаны с физикой полупроводников и полупроводниковой электроникой. С вопроса о том, какими представляются ученому ближайшие перспективы исследований в этой области науки, какие практические приложения найдут они, и началась наша беседа.

— Замечу сразу: к фантастическим пророчествам я не склонен — как, впрочем, и всякий ученый, хорошо представляющий себе истинное положение вещей в своей области. Развитие наших знаний, как показывает опыт, зачастую опровергало такого рода прорицания. Вместе с тем именно трезвая, деловая оценка возможностей нашей науки позволяет довольно уверенно судить о том, каких достижений можно ожидать от нее, по крайней мере, в ближайшем будущем. Такой прогноз будет, возможно, не слишком смелым, но, во всяком случае, довольно реалистичным.

Будущее — это продоля«ение настоящего. А настоящее, то есть современная ситуация в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники, характеризуется некоторыми довольно любопытными тенденциями, которые, надо полагать, получат еще более широкое развитие в ближайшие 15—20 лет.

Возьмем, например, один из самых распространенных и популярных полупроводниковых приборов — транзистор. После своего открытия в 1948 году он произвел подлинную революцию в электронной технике. Революцию, ничуть не меньшую по своей значимости, нежели, скажем, тот переворот, который совершило открытие ядерной энергии. Транзистор был, есть и еще долго останется одним из самых главных полупроводниковых приборов с огромным диапазоном возможностей его практического использования. Без транзисторов немыслима современная радиотехника, радиоэлектроника. Транзистор — основной прибор, можно сказать — краеугольный камень современной вычислительной техники. А вычислительная техника, ЭВМ, компьютеры — это в наше время один из важнейших рычагов научно-технического прогресса.

Вспомните, какую сенсацию произвели в начале 50-х годов первые «карманные» радиоприемники, созданные с применением транзисторов. Сегодня это уже самый обычный, довольно заурядный предмет нашего обихода. Лет пятнадцать назад такой же сенсационной новинкой стали карманные микрокалькуляторы. А сейчас их можно приобрести в любом магазине канцелярских товаров. Но и это, как говорится, не последнее слово науки и техники. Сегодня мы достигли такого положения, когда целая микропроцессорная схема — по сути дела целая электронно-вычислительная машина — помещается фактически в одном кристалле, на одной пластине. Когда мы говорим, что там плотность элементов в одном кристалле составляет сотни тысяч, мы имеем в виду сотни тысяч транзисторов...

— Иными словами, тенденция, о которой вы говорите сейчас,— это тенденция к дальнейшей микроминиатюризации полупроводниковых приборов, и в первую очередь — транзисторов?

— Именно так. В этом направлении физика и технология транзисторов развиваются со времени своего возникновения, причем развиваются очень стремительно. В первых советских транзисторах (а они были созданы, кстати сказать, в Физико-техническом институте, в нашей лаборатории, в 1953 году) одна из основных их характеристик — толщина базы, то есть расстояние между эмиттером и коллектором,— составляла 0,3—0,5 миллиметра — сотни микрон! По современным понятиям это гигантские размеры. Тогда, для наглядности, транзисторы сравнивали с электронными лампами.

Нынешние транзисторы от тогдашних отличаются примерно тем же. У них толщина базовой области составляет уже не сотни микрон, а сотые доли микрона. Для измерения этой характеристики сегодня нам приходится уже прибегать к такой физической величине, как ангстрем — стомиллионная доля сантиметра. Иными словами, линейные размеры транзисторов за эти три с небольшим десятилетия уменьшились в десятки тысяч раз.

Но дело не только в уменьшении линейных размеров транзисторов, а стало быть, и их плотности в кристалле. Важно и то, что при переходе к столь малым геометрическим размерам транзисторов в полупроводниковом кристалле наблюдается ряд совершенно новых физических явлений.

Известно, что одна из фундаментальных основ современной физики — это квантовая механика, основы которой были заложены в 20-е годы нынешнего столетия трудами таких великих ученых, как Альберт Эйнштейн, Нильс Бор, Вольфганг Паули и другие. До сих пор физики изучали квантовые явления, происходящие в микроструктурах, созданных самой природой — большинство кристаллов, как известно, имеют естественное происхождение. В настоящее время мы соперничаем с природой и как бы дополняем ее, искусственно выращивая полупроводниковые кристаллы, создавая микроструктуры, в которых изменения основных параметров полупроводника происходят на расстояниях, исчисляемых, как я говорил уже, ангстремами, то есть исчезающе малых. Движение частиц в этих структурах тоже управляется законами квантовой механики. И одно из главных направлений физики полупроводников в настоящее время — это как раз исследование физических явлений, происходящих в таких вот субмикронных структурах. Причем, познавая эти явления, мы, можно сказать, почти сразу пускаем их в оборот, находим для них практическое применение...

— Физика полупроводников, кстати, тем и замечательна, что любые открытия в этой области очень быстро находят техническое приложение...

— Верно. И если говорить о том, что на сегодняшний день явилось результатом исследований квантовых явлений в созданных нами субмикронных структурах, то это, прежде всего, сверхбыстродействующие транзисторы на так называемом двумерном электронном газе. С использованием этого физического эффекта может необычайно быстро осуществляться переключение транзистора из одного состояния в другое — процесс этот используется во всех цифровых интегральных схемах. Если, скажем, прежде транзисторы работали в диапазоне частот, исчисляемых мегагерцами, то есть миллионами колебаний в секунду, то сейчас речь идет уже о гигагерцах — миллиардах колебаний в секунду. На практике это дает нам возможность, скажем, повысить быстродействие электронно-вычислительных машин на несколько порядков — в 100, а то и 1000 раз. Достижение очень важное, если учесть, какое огромное, поистине чудовищное количество информации перерабатывается в настоящее время с помощью ЭВМ во всех отраслях науки, техники, экономики.

Таким образом, если говорить о прогрессе физики полупроводников применительно к транзисторам, то важнейшие тенденции на сегодняшний день в этой области — это, во-первых, чрезвычайная микроминиатюризация полупроводниковых приборов и, во-вторых, необычайное повышение их быстродействия.

— Вы говорите: на сегодняшний день. Но ведь наша с вами задача — заглянуть в завтра...

— Никакого противоречия здесь нет. На сегодняшний день эти, безусловно, обнадеживающие результаты, о которых я говорю, достигнуты в научно-исследовательских лабораториях. В производство они еще не внедрены, такие транзисторы не выпускаются промышленностью, а интегральные схемы на их основе пока что не создаются. Но я думаю, что уже лет через десять будет налажено их серийное производство, и они найдут широкое практическое применение.

Конечно, осуществить это будет нелегко. На протяжении последних десятилетий технология изготовления полупроводниковых материалов и приборов постоянно совершенствуется и вместе с тем усложняется. Но в то же время, если говорить о транзисторах, технология эта остается по преимуществу планарной. Что это значит? В настоящее время в приборах такого рода все элементы интегральной схемы, электронной схемы располагаются, по существу, в одной плоскости. И дальнейшее увеличение количества элементов, их плотности в кристалле осуществляется только за счет сокращения их линейных размеров в двух измерениях.

Между тем дальнейшее изучение и постижение характера квантовых явлений, происходящих в искусственно созданных полупроводниковых кристаллах, должно привести к тому, что мы научимся создавать объемные интегральные схемы, то есть использовать для этой цели весь объем кристалла. Научимся создавать внутри кристалла структуры, разные по химическому составу, по степени легирования, формировать диэлектрические структуры, как бы отделяя одну часть кристалла от другой, и образовывать между отдельными частями кристалла металлические мостики-связки. И не только металлические — подобными «мостиками» могут стать своеобразные световодные каналы внутри кристалла.

Все это, вообще говоря, мы уже умеем делать сегодня, но, повторяю, лишь на плоскости, в двух измерениях. Развитие новых технологических методов, новых структур приведет к созданию трехмерных полупроводниковых интегральных схем, за счет чего плотность элементов и степень их быстродействия гигантски возрастут. То есть, по сравнению с современными приборами, количество информации, перерабатываемой в том же объеме электронной схемы, увеличится уже в миллионы раз.

— А как это, по-вашему, будет осуществляться на практике? Ведь для создания таких объемных структур понадобятся, вероятно, какие-то новые технологические приемы, отличные от существующих?

— Вот как раз это я не стал бы утверждать. Вероятнее всего, будут усовершенствованы те методы, которые мы с успехом используем и сегодня: выращивание полупроводниковых структур из молекулярных и ионных пучков, оптическая литография, электронная литография. Один из самых популярных и эффективных методов, который используется прежде всего для выращивания полупроводниковых структур с гетеропереходами — метод молекулярной эпитаксии, когда полупроводниковый кристалл, ориентированный нужным образом, образуется на гранях кристалла другого вещества — кристалла-подложки. Но пока что основные активные элементы приборной структуры — р — /г-гет ер о переходы — реализуются лишь в тонком приповерхностном слое, нанесенном на подложку. Дальше этого мы пока не пошли. А вот когда мы «освоим» весь объем кристалла — это будет грандиозным скачком вперед...

— Жорес Иванович, вы мельком упомянули о полупроводниковых структурах с гетеропереходами. Стоит, наверное, вспомнить о том, что именно и вас, в Физико-техническом институте, в коние 60-х годов, впервые в нашей стране и в мире, были выполнены фундаментальные исследования полупроводниковых гетеропереходов, которые в буквальном смысле слова совершили переворот в этой области физики. Но, наверное, еще и сегодня их возможности не реализованы полностью. Что вы можете сказать о перспективах, которые существуют здесь?

— Коротко напомню: гетеропереходы — это контакты двух различных по химическому составу полупроводников. По сравнению с однородными полупроводниками — ну, скажем, наиболее популярными, кремниевыми — они обладают очень многими преимуществами, позволяют значительно улучшить свойства тех приборов, в которых используются. Но ведь гетеропереход — это, как вы поняли, пара. А для подбора идеальной пары надо соблюсти ряд условий. Один из важнейших параметров «совместимости» — близость постоянных кристаллических решеток материалов-партнеров. Долгое время чуть ли не единственной идеальной парой, которая отвечала всем условиям совместимости, были соединения мышьяка с галлием и алюминием — арсенид галлия и арсенид алюминия. На основе этой гетероструктуры были созданы многие полупроводниковые приборы, выпускаемые сейчас, в первую очередь — оптоэлектронные: лазеры, светодиоды, фотоприемники. Но, пожалуй, одной из наиболее заманчивых перспектив была и остается идея использования этой полупроводниковой структуры для преобразования солнечной энергии в электрическую. И не в лабораторных условиях, а в промышленных гелиоэнергетических установках! Фантастика? Ничуть.

В наше время, говоря об энергетике будущего, чаще всего имеют в виду атомные электростанции. Большие надежды возлагаются на управляемый термоядерный синтез. Работа в этой области, как мы знаем, успешно ведется во многих странах, в том числе и в СССР, и ведется довольно успешно. Но говорить о ее практическом приложении пока не приходится. А между тем существует термоядерный реактор, созданный самой природой, безопасная, надежная работа которого проверена многими миллионами лет. Это — Солнце. Находится оно достаточно далеко от нашей планеты, чем гарантируется полная его безопасность для нас. Освещает всю Землю — условия «транспортировки» энергии тем самым тоже надежно обеспечены. Интенсивность солнечного света на уровне моря, когда Солнце в зените, составляет около одного киловатта на квадратный метр. И при разработке высокоэффективных методов преобразования солнечной энергии в электрическую наше дневное светило может обеспечить бурно растущее потребление электроэнергии в течение многих сотен, а то и тысяч лет...

Среди многообразных методов преобразования солнечной энергии — химических, биологических — полупроводниковый, фотоэлектрический метод сегодня и наиболее разработан с точки зрения технологии, и наиболее удобен для практического применения, поскольку является самым «прямым» способом трансформации энергии из одного вида в другой. Результаты, достигнутые за последние десятилетия, ставят сегодня этот метод в особые условия, когда практически уже не приходится спорить о том, нужно это или не нужно, перспективно или бесперспективно. Наша основная задача сегодня — сделать этот метод экономически выгодным и конкурентоспособным по отношению к другим видам производства электроэнергии — ну, скажем, к той же атомной энергетике.

Сама по себе идея использования полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии не нова. Академик А. Ф. Иоффе мечтал о применении полупроводниковых элементов в солнечной энергетике еще в 30-е годы, когда Б. Т. Коломиец и Ю. П. Маслаковец создали в Физико-техническом институте серно-таллиевые фотоэлементы с рекордным для того времени коэффициентом полезного действия в один процент.

В последнюю четверть века большое распространение получили кремниевые фотоэлементы, которые широко используются, например, в солнечных батареях космических аппаратов и являются для них основным источником энергоснабжения. Они уже освоены промышленностью и выпускаются серийно. В принципе, уже сегодня возможно создать на их основе солнечную электростанцию, способную обеспечить электроэнергией всю нашу страну. Для этого достаточно «выстелить» фотоэлементами квадрат земли со стороной в сто километров, скажем, в Средней Азии, где малая облачность и большая освещенность — вот и все...

— Причем кремниевые фотоэлементы, насколько мне известно, относительно дешевы. Так за чем дело стало?

— Относительно дешевы — это верно! Но и коэффициент полезного действия у них на сегодня обычно не превышает десяти процентов. И если попытаться с их помощью производить электроэнергию промышленным способом, то дешевизна эта и в самом деле оказывается относительной.

Да, арсенид галлия и арсенид алюминия, которые используются для создания фотоиреобразователей у нас, в Физико-техническом институте, материалы более дорогие. Но, во-первых, КПД у них намного выше: 27 процентов — вот «абсолютный рекорд» в этой области, который достигнут уже у нас в лаборатории. И это — не предел. На основе уже известных материалов и принципов вполне реально в ближайшем будущем создать фотоэлементы с коэффициентом полезного действия 35—40 процентов. А теоретически КПД таких преобразователей (правда, на основе пока что гипотетических материалов) может составить и 90 процентов...

Повторяю: проблема использования фотопреобразователей для промышленного производства электроэнергии — это проблема, прежде всего, экономическая, проблема стоимости. Еще один, дополнительный способ удешевления энергии, получаемой таким путем,— это промежуточное концентрирование солнечного излучения посредством сравнительно несложных оптических устройств. При этом мощность солнечного излучения, поступающего на фотопреобразователи, может повышаться примерно в тысячу раз. А стало быть, и общая площадь, занимаемая фотоэлементами такой вот солнечной электростанции, соответственно сокращается в тысячу раз...

— А что это за устройства?

— Это либо сферические зеркала, либо так называемые линзы Френеля — тоже вещь довольно простая и недорогая. Подобные линзы используют, например, в видоискателях зеркальных фотоаппаратов для повышения яркости изображения. Причем для наших целей их не обязательно изготавливать из стекла, они вполне могут делаться из пластмассы.

Так вот, в условиях концентрированного в сотни и тысячи раз солнечного излучения КПД кремниевых фотоэлементов катастрофически падает, а у фотоэлементов на основе гетероструктур «арсенид галлия — арсенид алюминия» остается на том же высоком уровне и даже может немного увеличиться. То есть стоимость электрической энергии, производимой на основе таких установок с дешевыми концентраторами и дорогими гетерофотоэлементами, уже сегодня в несколько раз меньше, чем для фотопреобразователей на «дешевом» кремнии. Правда, не следует забывать, что использование высококонцентрированного солнечного излучения для получения электроэнергии эффективно только в безоблачных районах — например, в нашей Средней Азии, где количество солнечных дней в году достигает трехсот.

Какое направление «возьмет верх» в дальнейшем — создание все более эффективных, но дорогих фотоэлемен-TOiB или, наоборот, дешевых, но малоэффективных,— прудно сказать. В программе, разработанной, например, учеными США, предлагается в качестве основного направления развивать кремниевые фотоэлементы. Мне лично то направление, в котором работаем мы, представляется не только конкурентоспособным, но и, возможно, более перспективным.

— Напомним: более 60 лет назад у нас в стране была построена первая, самая крупная по тому времени, гидроэлектростанция. Ну, а если заглянуть на 60 лет вперед?

— Уже сейчас у нас в стране действует большая государственная программа по использованию солнечной энергии — в том числе и посредством тех методов, о которых я говорил. Уверен, что уже к концу нынешнего столетия фотоэлектрические солнечные электростанции будут играть важную роль в народном хозяйстве нашей страны. Ну, а через 60 лет, я думаю, солнечная энергетика в СССР приобретет не меньшее значение, чем гидроэнергетика сегодня.

Хотелось бы только, чтобы инженерные разработки, необходимые для реализации этой идеи, поскорее догнали фундаментальные и прикладные исследования, выполненные учеными. В этой области советская наука занимает лидирующее положение в мире. Наша инженерная мысль тоже вполне способна выйти на этот уровень.

— Жорес Иванович, из сказанного вами ранее можно сделать вот какой вывод: прогресс в физике полупроводников и в полупроводниковой электронике в значительной степени обусловлен созданием новых материалов, открывающих перед наукой и промышленностью новые возможности. Я знаю, что и к этому Физико-технический институт и, в частности, ваша лаборатория тоже причастны самым прямым образом. В конце 1984 года вы и группа ваших сотрудников вместе с коллегами из других институтов были удостоены Государственной премии СССР за цикл работ «Изопериодические гетероструктуры многокомпонентных (четверных) твердых растворов полупроводниковых соединений АЪВЬ». Для человека непосвященного это звучит довольно загадочно...

— Коротко суть этой работы можно изложить довольно просто: создан новый класс полупроводниковых материалов, на основе которых разработаны и продолжают разрабатываться самые разнообразные полупроводниковые приборы, находящие самое широкое применение как в оптоэлектронике, так и в микроэлектронике. Ну, а почему речь идет о четверных растворах? Вот та «идеальная пара», о которой я говорил,— арсенид галлия — арсенид алюмнния — создается на основе тройного твердого раствора, системы «галлий — алюминий — мышьяк». Уже тогда, в конце 60-х годов, когда система эта была нами создана, мы понимали, что она является уникальной. И вместе с тем отдавали себе отчет в том, что нужно искать новые композиции полупроводниковых материалов, которые позволили бы расширить диапазон их применения.

Если взять более сложную композицию — например, четверную — можно варьировать основные свойства полупроводников и гетероструктур, создаваемых на их основе, чрезвычайно многообразно. Сначала это было показано нами теоретически, и о результатах наших исследований мы доложили осенью 1970 года в Будапеште, на Международной конференции по полупроводниковым гетеропереходам. И уже затем совместными усилиями ученых нашего института, специалистов Физического института имени П. Н. Лебедева АН СССР и Государственного института редких металлов было показано, что на основе вот таких, более сложных четверных твердых растворов (это, прежде всего, система «индий — галлий — мышьяк— фосфор») можно создавать десятки различных гетероструктур для самых разнообразных применений.

— Ну, а какими могут быть эти применения?

— Практическое значение этой работы заключается прежде всего в том, что были созданы гетероструктуры, а потом и приборы, в первую очередь, для инфракрасной области спектра, а также видимой области. На их основе разработаны, в частности, лазеры для систем дальней волоконно-оптической связи, или световодной связи. У этого средства связи — огромное будущее. Сегодня волоконно-оптическая связь чрезвычайно широко развивается и в телефонии, и в электронике, и в телевидении. Кабельная система телевидения будет создаваться, в частности, именно на этой основе.

О преимуществах волоконно-оптической связи говорилось уже не однажды, важнейшие из них — во-первых, абсолютная возможность передавать по одному каналу значительно больший объем информации (в сотни, тысячи раз), а во-вторых, абсолютная помехоустойчивость и экономия дефицитных цветных металлов, используемых в обычной кабельной связи. Оказалось, что минимальные потери светового излучения в оптическом волокне имеют место при длине волны 1,3—1,6 микрометра. Поэтому для дальних линий связи нужны источники излучения, работающие именно в этом спектральном диапазоне. Ими и стали полупроводниковые лазеры, созданные на основе системы «индий — галлий — мышьяк — фосфор». Эти приборы уже позволили намного продвинуть вперед как научные исследования, так и практические работы в этой области.

Ну, а все возможности применения этих новых материалов сейчас предсказать попросту невозможно.

— Вот вы упомянули о конференции в Будапеште в 1970 году. На этой конференции выступал один из крупнейших американских специалистов по физике полупроводников, профессор Р. Андерсон. Он заявил тогда, что не видит за гетероструктурами большого будущего в смысле практического их применения. Сегодня, как это видно и из нашей беседы, полупроводниковые гетероструктуры широко применяются в электронике и являются основным элементом многих серийно выпускаемых электронных приборов в СССР, Японии, США и других развитых странах. Но вы как-то в середине 70-х годов написали, что с помощью инжекционных полупроводниковых лазеров на гетероструктурах может быть реализована новая система цветного телевидения. Какого мнения вы сейчас по этому поводу?

— Одно уточнение: столь пессимистическое заявление мой американский коллега сделал в своем обзорном докладе на первом заседании конференции. А на закрытии конференции он выступил и сказал, что работы Физико-технического института и лаборатории «Белл Телефон» кардинально изменили положение в этой области, и ему придется пересмотреть свою точку зрения.

Что касается новых систем цветного телевидения, то, с моей точки зрения, одной из наиболее перспективных является система проекционного цветного телевидения на основе инжекционных полупроводниковых лазеров. Преимуществ у такой системы сравнительно с существующими множество. Приемники ее будут чрезвычайно портативными, расход энергии, необходимый для их питания, тоже окажется невеликим (потому что коэффициент полезного действия полупроводниковых лазеров составляет десятки процентов, а напряжение питания — полтора-два вольта). То есть телевизор этот по энергозатратам будет эквивалентен малогабаритному транзисторному радиоприемнику. В нем не будет кинескопа — сложного вакуумного прибора, самого уязвимого узла современных цветных телевизоров.

Беда только в том, что пока мы не имеем еще полупроводниковых лазеров трех основных цветов — красного, зеленого и синего, обладающих достаточной мощностью. Но вот работа по созданию четверных полупроводниковых твердых растворов уже практически подвела нас к решению проблемы создания высокоэффективных красных полупроводниковых лазеров. Правда, путь еще предстоит долгий — увы, я по-прежнему не могу назвать точный срок, когда они появятся, такие телевизоры. Но первый шаг сделан. Это обнадеживает.

— Я знаю, что как раз у вас в лаборатории на протяжении многих лет велись работы по созданию полупроводниковых инжекционных лазеров.

— Это и поныне одно из важнейших направлений нашей работы. По-прежнему мы много внимания уделяем исследованию физических процессов в этих приборах, улучшению их параметров. Полупроводниковый лазер — прибор с огромными потенциальными возможностями в смысле его практического использования. Об одном из важнейших его применений в настоящем, а тем более в будущем — волоконно-оптической связи — я уже говорил. Не менее значительны и перспективны применения этих приборов в системах записи и отображения информации. Благодаря работам в этой области уже очень скоро, надо полагать, станет достоянием прошлого такой популярный бытовой прибор, как проигрыватель традиционной конструкции. На смену ему идет принципиально новое устройство, где считывание информации и запись ее осуществляются как раз красными полупроводниковыми лазерами. Качество звучания, которого удается добиться на «лазерных» акустических дисках, неизмеримо выше, чем в любой другой системе — ив магнитной, и в грамзаписи. То же следует сказать и о видеозаписи.

Ну, а срок службы полупроводникового лазера, используемого в проигрывателе, с бытовой точки зрения также выходит далеко за пределы привычных для нас категорий. Ведь это «игла», которая, по существу, никогда не касается диска с записанной информацией. Срок службы полупроводниковых лазеров уже сейчас исчисляется десятками лет. А для экспериментальных, лабораторных образцов он приближается уже к 100—150 годам. Это мы можем прогнозировать вполне уверенно. То есть это будет поистине вечный полупроводниковый прибор.

— Как вы оцениваете место вашего института, позиции его исследователей в этой области на сегодняшний день и на ближайшее будущее?

— И сегодня нельзя не восхищаться научной прозорливостью академика А. Ф. Иоффе, первого руководителя нашего института, который еще в начале тридцатых годов первым в мире оценил потенциальные возможности, перспективы исследований полупроводников. Сегодня все хорошо знают, что полупроводниковая техника, полупроводниковая электроника во многом определяют технический прогресс во всех отраслях промышленности, сельского хозяйства и даже во многих областях культуры.

Если говорить о Физико-техническом институте, то сегодня он, конечно, одно из многих научно-исследовательских учреждений в мире, которые интенсивно занимаются исследованием полупроводников. По-прежнему физика и технология полупроводников являются одним из главных направлений научной деятельности нашего института. Но, разумеется, сейчас Физтех уже попросту не может играть первую скрипку во всех разделах и аспектах этой отрасли физической науки — их стало теперь слишком много. Однако с удовольствием могу констатировать, что в тех областях исследований, в которых работают ученые нашего института, он по-прежнему лидер у нас в стране, а нередко — ив мире.

Сохранит ли Физико-технический институт свои лидирующие позиции в будущем? Не сомневаюсь в этом. Залогом тому — замечательные научные традиции, заложенные еще основателем института, академиком А. Ф. Иоффе, который, по словам известного немецкого физика Манфреда фон Арденне, сумел создать «такую школу, такой климат, при котором вероятность открытий резко возрастает».

Сегодня в стенах Физтеха бок о бок с маститыми учеными, ветеранами в области физики полупроводников, такими, например, как директор института академик В. М. Тучкевич, работают талантливые молодые ученые, которые успешно продолжают дело, начатое их предшественниками, и развивают новые направления исследований. И не случайно почти одновременно с присуждением сотрудникам нашего института в 1984 году Государственной премии СССР за работы в области новых полупроводниковых материалов группа молодых научных работников нашей лаборатории была удостоена премии Ленинского комсомола — за разработку высокоэффективных преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктуры «галлий — алюминий — мышьяк».

Я уверен, что Физико-технический институт еще не раз скажет новое слово в физике полупроводников.

Беседу вел Владимир Королев